Микрослотовый фотоэлектрический датчик

Микрослотовый фотоэлектрический датчик

1. Разнообразные спецификации и формы
2. Уровень защиты IP67
3. Соответствует стандартам EMC и ROHS
4. Защита от световых помех
Технические параметры

Микрослотовый фотоэлектрический датчик
Изображения продукции
Frame 1218.png
Micro-slot photoeletric sensor_尺寸图.png
Малый кабель
NPNВКЛEG15NKEG15NTEG15NYEG15NFEG15NR
ВЫКЛEG25NKEG25NTEG25NYEG25NFEG25NR
PNPВКЛEG15PK EG15PTEG15PYEG15PFEG15PR
ВЫКЛEG25PKEG25PTEG25PYEG25PFEG25PR
Внешний видKTYFR
Соответствие директивам CEДиректива EMC, Директива RoHS
Дистанция обнаружения6 мм фиксированная
Минимальный обнаруживаемый объектНепрозрачный объект 0.8×1.2 мм
Гистерезис0.05 мм или менее
Повторяемость0.01 мм или менее
Напряжение5-24 В DC ±10%, пульсация P-P ≤10%
Потребляемый ток≤15 мА
ВыходТранзистор NPN с открытым коллектором
Рабочее напряжение: ≤30 В DC (между выходом и 0V)
Транзистор PNP с открытым коллектором
Рабочее напряжение: ≤30 В DC (между выходом и +V)
NPN/PNP
Макс. ток: 50 мА
Падение напряжения: <2В
Режим выходаДва выхода: ВКЛ при приеме света / ВКЛ при блокировке света
Защита от КЗДля NPN - есть, для PNP - нет
Время реакцииПри приеме света: ≤20 мкс, при блокировке: ≤80 мкс (макс. частота 3 кГц)
Индикатор состоянияКрасный светодиод (активен при приеме света)
Степень защитыIP66
Рабочая температура-25°C ~ +55°C (без конденсации/замерзания)
Хранение: -30
°C ~ +80°C
Влажность5-85% RH (работа), 5-95% RH (хранение)
ОсвещенностьЛюминесцентное освещение: ≤1000 Люкс на светоприемнике
Прочность изоляцииAC1000В 1 мин (все клеммы питания - корпус)
Сопротивление изоляции≥20 МОм (250В DC между клеммами и корпусом)
Вибрационная стойкость10-2000 Гц, амплитуда 1.5 мм (макс. ускорение 196 м/с²) по осям XYZ по 2 часа
Ударная стойкость1500 м/с² (≈1500G) по 3 удара по осям XYZ
Источник излученияИнфракрасный светодиод (длина волны 940 нм, немодулированный)
МатериалыКорпус: PC+ABS, крышка: ABS
Кабель0.09 мм² 4-жильный резиновый кабель PVC 1м
Удлинение кабеляКабель ≥0.3 мм² до 100 м суммарной длины
ВесНетто: 10 кг, Брутто: 15 г
Щелевой фотоэлектрический датчик
Изображения продукции
K Type.jpg
EG35-45_尺寸图.png
Малый кабель
NPNВКЛEG35NFEG35NKEG35NLEG35NREG35NU
ВЫКЛEG45NFEG45NKEG45NLEG45NREG45NU
PNPВКЛEG35PFEG35PKEG35PLEG35PREG35PU
ВЫКЛEG45PFEG45PKEG45PLEG45PREG45PU
Тип корпусаТип FТип KТип LТип RТип U
Соответствие директивам CEДиректива EMC, Директива RoHS
Дистанция обнаруженияФиксированная 6 мм
Минимальный обнаруживаемый объектНепрозрачный объект 0.8×1.2 мм
Гистерезис≤0.05 мм
Повторяемость≤0.01 мм
Напряжение питания5-24 В DC ±10%, пульсация ≤10%
Потребляемый ток≤15 мА
ВыходТранзистор NPN с открытым коллектором
Рабочее напряжение: ≤30 В DC (выход-0V)
Транзистор PNP с открытым коллектором
Рабочее напряжение: ≤30 В DC (выход-+V)
NPN/PNP
Макс. ток: 50 мА
Падение напряжения: <2В
Режим выходаДва состояния: ВКЛ при приеме света / ВКЛ при блокировке
Защита от КЗДля NPN - есть, для PNP - нет
Время реакцииПри приеме света: ≤20 мкс, при блокировке: ≤80 мкс (макс. частота 3 кГц)
Индикатор работыКрасный светодиод (горит при приеме света)
Степень защитыIP66
Рабочая температура-25°C ~ +55°C (без конденсации/замерзания)
Хранение: -30
°C ~ +80°C
Влажность5-85% RH (работа), 5-95% RH (хранение)
Внешняя освещенностьЛюминесцентное освещение: ≤1000 Люкс на приемнике
Электрическая прочностьAC1000В 1 мин (все клеммы-корпус)
Сопротивление изоляции≥20 МОм (250В DC, клеммы-корпус)
Вибрационная стойкость10-2000 Гц, амплитуда 1.5 мм (макс. 196 м/с²) по осям XYZ по 2 ч
Ударная стойкость1500 м/с² (≈1500G) по 3 удара по осям XYZ
Излучающий элементИК-светодиод (длина волны 940 нм, без модуляции)
МатериалыКорпус: PC+ABS, крышка: ABS
Кабель0.09 мм² 4-жильный кабель в ПВХ изоляции 1м
Удлинение кабеляКабель ≥0.3 мм² длиной до 100 м
ВесНетто: 10 кг, Брутто: 15 г


Глобальные Грузоперевозки
Предоставляем различные варианты доставки, включая морские, наземные и воздушные перевозки, чтобы гарантировать быструю и безопасную доставку вашей продукции по всему миру.
Связаться с нами
Email
Сообщение
WhatsApp
18917361687
Наверх